Introduction
Avant de parler du thyristor , il convient de parler ou de faire un rappel sur la diode Schottky
La diode Schottky:
La diode Shottky est une diode à jonction métal / semi-conducteur qui a une tension de seuil plus bas que la diode PN (0,25V contre 0,65 env pour la PN), avec un temps de réponse plus rapide. Elle est utilisée entre autres dans les circuits logiques rapides (TTL Schottky).
Cette diode est également appelée diode PNPN ou diode à quatre couches. Cette diode (Fig 1A) peut être représentée scindée en deux (Fig1B). Elle peut être assimilée à un ensemble de deux transistors, l’un PNP, l’autre NPN (Fig 2B). Sa représentation est sur la figure 2C.
le collecteur de l’un est relié sur la base de l’autre. Si l’on applique aux bornes de la diode une tension continue de faible valeur, la diode reste bloquée. Au delà d’un certain seuil, il y a déclenchement et sa résistance interne chute soudainement. En effet, la tension aux bornes augmentant progressivement, le courant collecteur de T1, traversant l’espace base émetteur de T2 (Fig2B) est amplifié par celui-ci, pour être envoyé sur la base de T1, qui va l’amplifier à son tour. Il y a un effet cumulatif et l’ensemble, parcouru subitement par un courant très élevé, présente alors une résistance faible. La diode ne peut être désamorcée qu’en coupant son alimentation.
– Courbes caractéristiques:
– En partant de zéro volt et en augmentant la tension positive sur l’anode, le courant dans la diode a une valeur négligeable. Lorsque le seuil de déclenchement est atteint (Vs) (entre 8 et 10 Volts), un courant d’une certaine valeur traverse la diode (courant de maintien (Ih) environ 20mA). A ce moment la tension aux bornes de la diode retombe subitement à une valeur de 1,5 Volts environ. Si l’on augmente à nouveau la tension V, la diode se comporte comme une diode classique. La tension inverse (Vn)bà ne pas dépasser pour la diode est de 10 Volts environ.
– Applications de la diode Shockley:
– La détection de surtension. La diode est connectée avec une ampoule témoin, l’ensemble est placé en parallèle sur le circuit à protéger. L’ampoule s’allumant dès la surtension dépasse le seuil de déclenchement de la diode (Fig 1)
– Un générateur de dent de scie peut être conçu de manière très simple. Ici, le condensateur C se charge au travers de la résistance R. Dès que la tension aux bornes de la capacité dépasse le seuil de conduction de la diode Shockley, celle-ci décharge C jusqu’à une valeur pour laquelle la diode présente une résistance élevée. Le condensateur commence alors à se décharger jusqu’à ce que la tension de déclenchement de la diode soit atteinte de nouveau. (Fig 2)
Le thyristor
le thyristor est une diode Shockley à laquelle on a ajouté une broche (Gâchette). Le thyristor est unidirectionnel, il laisse passer le courant dans un seul sens..
Sa représentation symbolique est en Fig C. Le thyristor à longtemps été désigné par ses initiales « S.C.R », Silicon Controlled Rectifier (Redresseur Silicium Commandé). On peut dire qu’il s’agit d’un redresseur au silicium commandé par une troisième broche, la gâchette.
La structure de ce composant est assez complexe. En effet, un THYRISTOR comprend TROIS JONCTIONS, constituées de deux zones N et deux zones P.
La zone P la plus basse, constitue l’ANODE de la diode, alors que la CATHODE est formée par la zone N la plus haute.
La zone P se trouvant sous la cathode, constitue la Gâchette et comporte donc le contact nécessaire, pour la liaison au circuit extérieur.
L’ensemble de ces différentes zones, formées par les procédés décrits dans les leçons précédentes, est renforcé par deux disques de tungstène, comme on peut le voir figure 2.
L’un de ces disques porte un câble tressé de connexion, correspondant à la CATHODE. Cet ensemble est enfermé dans un étui hermétique, dont la base se termine par un filetage correspondant à l’ANODE.
Représentation schématique
fonctionnement du THYRISTOR
décomposons le thyristor suivant trois dessins a,b,c.
Supposons que l’on coupe les deux blocs centraux, de façon à pouvoir décomposer le thyristor en deux parties. Relions celles-ci entre elles, au moyen de connexion, comme sur la figure b.
L’une des deux parties ainsi obtenue est formée d’un bloc P, se trouvant entre deux blocs N, constituant un transistor du type N.P.N. (TR1 sur la figure c).
L’autre partie est formée d’un bloc de silicium N, se trouvant entre deux blocs P, constituant un transistor du type P.N.P. (TR2 sur la figure c).
En représentant ces deux transistors et en les reliant comme sur la figure b, on obtient la représentation de la figure c.
Chaque transistor a sa base branchée directement au collecteur de l’autre et l’ensemble comporte trois liaisons de sortie (A, C et G), correspondant à l’anode, la cathode et la gâchette (on dit aussi la PORTE).
Alimentons le circuit au moyen de deux batteries, montées comme sur la figure 4-a.
Dans ces conditions, l’émetteur de TR2 (correspondant à l’ANODE du thyristor), est positif par rapport à l’émetteur de TR1 (correspondant à la CATHODE de ce thyristor). Bien que ce composant ait son anode positive par rapport à sa cathode, aucun courant ne peut circuler lorsque l’interrupteur (I) est ouvert. En effet, le courant de base de TR1 étant nul, le courant de collecteur est également nul.
La base de TR1 étant branchée directement sur la base de TR2, ce qui est vrai pour le premier transistor est également valable pour le second.
En fermant l’interrupteur I, la jonction base-émetteur de TR1 est polarisée dans le sens direct, dans la mesure où la base est positive par rapport à l’émetteur. Par conséquent, cette jonction est traversée par un courant IB direct, dans le sens indiqué par les flèches (figure 4-b). Ce courant détermine le passage d’un courant de collecteur IC dans TR1, et traverse également la jonction émetteur-base de TR2.
Étant donné que le courant IC, traverse la jonction émetteur-base de TR2, il détermine le passage d’un nouveau courant I’C dans ce dernier transistor. Ce courant parcourt le circuit dans le sens indiqué par les flèches (figure 4-c), c’est-à-dire qu’il traverse la jonction base-émetteur de TR1, dans le même sens que le courant IB (figure 4-b).
Le courant qui traverse la jonction base-émetteur de TR1 a donc augmenté, le courant I’C s’ajoutant à IB. Il en résulte que le courant IC de TR1 augmente aussi, et, en traversant la jonction émetteur-base de TR2, produit à son tour, un accroissement de IC.
Le courant traversant la jonction base-émetteur de TR1 s’élève donc, de même que le courant IC et que le courant I’C, et ainsi de suite.
On comprend ainsi comment, par l’action de chaque transistor l’un sur l’autre, le courant qui passe entre le point A et le point C, c’est-à-dire entre l’anode et la cathode augmente jusqu’à une valeur limite, déterminée uniquement par la résistance R, se trouvant en série dans le circuit.
Lorsque cette valeur limite est atteinte, on peut ouvrir l’interrupteur I, comme le montre la figure 4-c. Les transistors sont en effet désormais capables de se maintenir l’un et l’autre en état de conduction.
On voit donc que le THYRISTOR PEUT PASSER DE L’ÉTAT D’INTERDICTION A L’ÉTAT DE CONDUCTION, en appliquant un court instant un courant approprié sur le circuit de GÂCHETTE.
Le fait que le courant continue de circuler après l’ouverture de l’interrupteur I, signifie que la GÂCHETTE ne peut plus influer sur la valeur de celui-ci. Pour remettre le thyristor à l’état d’interdiction le plus rapidement possible, il suffit d’appliquer une tension négative à l’anode.
Pour comprendre ce qui arrive dans ce cas, il faut se référer à la structure du thyristor et examiner la polarisation, lorsque celui-ci est en état de conduction .
Dans ce cas, les trois jonctions sont polarisées dans le sens direct et à proximité de chacune d’elles, il y a un grand nombre de trous ou d’électrons libres.
En appliquant la tension négative à l’anode, on interrompt le courant traversant la diode et on constate la circulation d’un courant inverse, dû au fait que les charges libres sont éloignées des jonctions repérées .
Après déplacement de ces charges, le courant inverse cesse et les jonctions G1 et G3 sont polarisées en sens inverse. Le thyristor ne se trouve pourtant pas en condition d’interdiction, car il subsiste encore un nombre considérable de trous et d’électrons libres, à proximité de G2. Ces dernières charges libres s’éliminent réciproquement par recombinaison dans la mesure où les jonctions G1 et G3 sont polarisées en sens inverse.
Quand cette recombinaison est terminée, on peut appliquer une tension positive à l’anode, sans remettre le thyristor en état de conduction. A ce moment, la gâchette a donc repris la possibilité de contrôler le thyristor.
Le temps qui s’écoule entre l’instant où cesse le passage du courant et l’instant où on peut ré-appliquer une tension positive sur l’anode, sans que le thyristor revienne à la conduction, est dit TEMPS DE RETOUR A L’ÉTAT D’INTERDICTION ; il est normalement compris entre 10 µ secondes et 15 µ secondes.
Il faut préciser que sur la figure 4–a, pour simplifier l’explication, on a supposé que lorsque le THYRISTOR se trouve à l’interdiction, il n’est pas traversé par un courant, mais cela n’est pas rigoureusement exact.
En réalité, chacun des deux transistors composant le THYRISTOR est traversé par un courant résiduel, comme on l’a vu dans les leçons précédentes concernant les transistors. Ce courant circule, même lorsque le circuit de base est ouvert.
Ainsi, le courant résiduel des deux transistors représentant le thyristor, circule dans le sens indiqué figure 4 pour les courants de collecteur, mais étant donné sa petite intensité, il n’est pas suffisant pour porter la diode, en condition normale de fonctionnement, à l’état de conduction.
Cependant la présence de ce courant résiduel, fait que la diode peut passer de l’interdiction à la conduction, même si le courant de gâchette est nul.
On peut vérifier ce fait en appliquant à l’anode du thyristor, une tension continue de valeur appropriée. Cette tension donne aux porteurs constituant le courant résiduel, une énergie suffisante pour libérer d’autres porteurs en plus grand nombre, ceux-ci, à leur tour libérant d’autres charges et ainsi de suite.
Il se produit alors l’EFFET d’AVALANCHE. Par conséquent, le courant augmente très rapidement et le thyristor passe ainsi de l’état d’interdiction à celui de conduction.
Il est bon d’insister sur ce phénomène, ayant une certaine influence, lors du relevé des caractéristiques.
Pour déterminer celles-ci, permettant de connaître comment varie le courant anodique (Ia) en fonction de la tension anodique (Va), pour différentes valeurs du courant de gâchette (Ip), on a recours au circuit représenté figure 6.
Sur cette figure, on peut voir le symbole graphique du thyristor, semblable à celui d’une diode, avec en plus, du côté de la cathode, une électrode correspondant à la PORTE.
Au moyen de P1, on peut faire varier la tension anodique (Va), indiquée par l’instrument de mesure V, alors que l’appareil (I) indique les valeurs du courant, correspondant aux différentes tensions.
Quant à P2, il sert à régler la tension appliquée entre la porte et la cathode, c’est-à-dire, en pratique, à doser le courant du circuit de PORTE.
Lorsque ce courant a une valeur nulle, en faisant varier la tension anodique, on peut déterminer la caractéristique relative à Ip = 0 V.
L’allure de celle-ci est montrée figure 7. On voit que, lorsque la tension anodique passe d’une valeur nulle à une tension positive (+Va), le courant anodique, constitué par le courant résiduel, augmente d’abord progressivement en raison de l’EFFET D’AVALANCHE.
Ce courant atteint ainsi le POINT DE COMMUTATION, correspondant à une valeur suffisante, pour porter le thyristor de l’état d’interdiction à l’état de conduction.
On parle alors de COURANT DE COMMUTATION.
Dès que le thyristor est passé à l’état de conduction, il faut réduire la tension anodique pour éviter que le courant anodique prenne des valeurs excessives.
On voit en effet que la caractéristique est presque verticale.
On peut en déduire qu’il suffit de basses tensions anodiques, pour obtenir des courants anodiques élevés.
Le thyristor reste à l’état de conduction, même si la tension anodique tombe à des valeurs assez basses, pourvu que l’on ne descende pas au-dessous d’une valeur, dite VALEUR DE TENUE.
Au-dessous de celle-ci, le thyristor revient à l’état d’interdiction. D’autre part, lorsque la tension anodique augmente vers des valeurs négatives (-Va), la caractéristique prend une allure très semblable à celle d’une diode normale, polarisée en sens inverse (figure 7).
Sur la figure 8-a, on peut voir au contraire, la modification de la caractéristique anodique, lorsque le courant de GÂCHETTE, prend des valeurs supérieures à zéro.
On peut noter la diminution de la tension anodique, en fonction de laquelle se situe le courant de commutation.
Si le courant de gâchette est très supérieur à zéro, la caractéristique prend l’allure illustrée figure 8-b. Cette allure est très semblable à celle de la caractéristique d’une jonction P.N.
Pour l’emploi d’un THYRISTOR, il est également nécessaire de connaître la caractéristique de commande, c’est-à-dire la caractéristique montrant comment varie le courant de gâchette Ip, lorsque la tension Vp, appliquée entre la gâchette et la cathode, est modifiée.
On peut trouver les valeurs de ces grandeurs, au moyen du circuit de la figure 9.
En reportant sur un diagramme les valeurs de la tension et du courant ainsi déterminées, on peut tracer la caractéristique de commande du thyristor considéré.
En refaisant ce tracé avec un autre thyristor du même type, on trouverait une caractéristique qui pourrait être très différente. Ce fait est dû aux inévitables différences de construction que l’on rencontre dans ces composants.
Pour cette raison, les caractéristiques de commande des thyristors, fournies par les constructeurs, comprennent deux courbes, délimitant une zone dans laquelle peut se trouver la caractéristique, pour un type de thyristor donné.
Il faut se souvenir qu’en augmentant la tension de la gâchette Vp, on atteint une valeur, en correspondance de laquelle le courant de gâchette Ip, s’avère suffisant pour provoquer la conduction du thyristor.
En raison des différences de construction, ces valeurs varient d’un thyristor à un autre pour un même type de composant.
La surface hachurée de la figure 10-b, indique les points possibles de commutation. Elle est délimitée par les valeurs Vpmin. et Ipmin.
Cette surface représente donc la zone, dans laquelle la commutation est possible, mais non certaine, alors que la zone supérieure indique les valeurs où la commutation est certaine, dans tous les cas.
Il faut encore noter que toutes les valeurs comprises dans la zone supérieure ne peuvent pas être adoptées pour la commande d’un thyristor. En effet, pour certaines de ces valeurs la puissance dissipée dans la jonction gâchette-cathode, dépasserait les possibilités du thyristor. En conséquence, la puissance maximale dissipable sans risque, est indiquée par la courbe en pointillé.
La caractéristique de commande, dans son aspect définitif, est représentée sur la figure 10-c.
- 1. – PRINCIPE DE L’AMORÇAGE PAR LA GÂCHETTE
L’amorçage du thyristor par sa gâchette ou porte, est le système d’amorçage le plus courant.
Le thyristor est monté sur le circuit, de façon à être polarisé dans le sens direct (voir figure 11).
On applique une IMPULSION POSITIVE sur la gâchette (IG).
Le transistor TR1 reçoit donc IG comme courant de base. De ce fait son courant de collecteur passe IG 1, (où 1 = gain en courant de TR1). Ce courant est à son tour injecté dans la base de TR2, qui débite alors un courant IG 1 2 (où 2 = gain en courant de TR2).
Ce même courant IG 1 2 de collecteur de TR2 est réinjecté sur la base de TR1.
Deux cas doivent alors être considérés.
1°) Le produit 1 2 est plus petit que 1 : LE DISPOSITIF NE S’AMORCE PAS.
2°) Le produit 1 2 est proche de l’unité : le processus de l’amplification se manifeste et le thyristor passe à l’état conducteur.
Ces deux conditions (1 2 < 1 et 1 2 proche de 1) caractérisent l’état du thyristor en fonction du courant.
Le gain d’un transistor au silicium croît en effet généralement avec le courant (plus exactement le gain en courant croît avec le courant d’émetteur).
- Avec un courant de gâchette faible, le produit 1 2 est inférieur à 1. Le thyristor reste bloqué.
- Avec un courant de gâchette de valeur plus élevée, c’est-à-dire avec une impulsion de commande suffisante, les courants d’émetteurs sont assez élevés pour 1 2 donne une valeur tendant vers l’unité, c’est-à-dire 1 2 ——-> 1.
Dès que l’amorçage est réalisé, la réaction positive (le courant de collecteur de chaque transistor étant appliqué sur les bases de l’autre transistor) fait conduire TR1 et TR2 à la saturation. Ces deux composants se maintiennent dans cet état, même si le signal de commande disparaît.
- 2. – AUTRES POSSIBILITÉS D’AMORÇAGE
Comme nous venons de le dire la propriété essentielle d’un transistor au silicium est d’avoir un gain de courant, croissant avec le courant d’émetteur IE. De ce fait, toutes les causes susceptibles de provoquer une augmentation du courant IE, permettent de déclencher l’amorçage.
On peut donc agir :
1°) SUR LA TENSION : Si la tension cathode-anode augmente, il arrive un moment où le COURANT DE FUITE est suffisant pour déclencher une augmentation rapide de IE, donc de provoquer l’amorçage.
2°) LA PENTE DE LA TENSION : La jonction PN présente une certaine CAPACITÉ. Ainsi, en augmentant brusquement la tension anode-cathode, on charge cette capacité et l’on obtient un courant de :
i = (C V) / t
C = valeur de capacité de la jonction
V (delta V) = variation de la tension
t (delta t) = durée de la variation
Lorsque le courant (i) atteint une certaine valeur, l’amorçage se produit.
3°) LA TEMPÉRATURE : le courant de fuite inverse d’un transistor au silicium, double approximativement tous les 14° C (lorsque la température croît).
Là encore, lorsque le courant de fuite est suffisant, le thyristor s’amorce.
Nous n’avons cité ces possibilités qu’à titre d’information, car dans la grande majorité des cas, on provoque LE DÉCLENCHEMENT DU THYRISTOR en injectant une IMPULSION de commande sur la GÂCHETTE, c’est-à-dire en utilisant l’EFFET TRANSISTOR.
- 3. – TENSION DE RETOURNEMENT
Comme nous venons de le dire dans le paragraphe précédent, il est possible d’amorcer un thyristor, en agissant sur la TENSION CATHODE-ANODE.
La valeur de la tension pour laquelle le thyristor s’amorce, s’appelle tension de retournement. La valeur de cette tension dépend cependant du signal de commande, éventuellement appliqué sur la gâchette. La figure 12 met en évidence cette relation.
Lorsque le courant de gâchette IG est nul (sur la figure 12, IG1 = 0), la tension anode-cathode, doit atteindre la tension de retournement pour que le thyristor s’amorce. Par contre avec un courant de gâchette croissant, la tension de retournement tombe à des valeurs beaucoup plus faibles.
A la limite, le thyristor se comporte comme une diode (pour IG5, sur la figure 12). Cela signifie que si le courant de gâchette est assez fort, une petite tension d’anode suffit pour provoquer le déclenchement.
Aussi, pour prévenir des amorçages erratiques, on peur monter une résistance entre la gâchette et la cathode.
Très souvent d’ailleurs les fabricants intègrent par diffusion, cette résistance dans le thyristor (technique SHORTED EMITTER).
Elle a pour effet de nécessiter un courant de gâchette plus intense, pour l’amorçage du thyristor, mais par la même, améliore sa tenue à l’état bloqué.
– Fonctionnement du thyristor:
En courant continu. Figure 13.
Si V en A, le thyristor peut être ouvert ou fermé. Il suffit d’appliquer entre k et P environ 1v afin que P soit positif. Aussitôt le thyristor devient conducteur et Vak ≈ 1V. La tension v apparaît presque entièrement aux bornes de Ru. Pour couper l’interrupteur, il suffit de faire v=0, la gâchette n’ayant plus aucun effet quand le thyristor est amorcé.
– Le thyristor se comporte comme une diode normale quand l’anode est négative par rapport à la cathode, il ne conduit pas, il est bloqué. Par contre si l’anode devient positive par rapport à la cathode le thyristor va conduire à la condition toutefois que la gâchette soit positive, (une simple impulsion suffit à amorcer le thyristor, poussoir P figure 2).
– Le thyristor, une fois amorcé reste conducteur même si la gâchette n’est plus polarisée, il faut tout de même qu’un courant minimum circule entre anode et cathode (courant de maintien). Le désamorçage ne peut être rétabli quand coupant l’alimentation, où en faisant chuter la tension anode cathode jusqu’à ce que le courant de maintien ne soit plus assuré. (on peut aussi le désamorcer par un très bref court-circuit entre l’anode et la cathode).
- Sur l’animation, on voit très bien l’explication ci-dessus.
1- Action sur SW2. L’anode devient positive par rapport à la cathode, le thyristor reste bloqué, la lampe est éteinte.
2- Action sur SW1. La gâchette devient positive via R1, le thyristor conduit et la lampe s’allume.
3- Relâchement de SW1. La gâchette n’est plus positive, mais le thyristor reste conducteur et la lampe allumée. (plusieurs impulsions sur la gâchette ne changent rien).
4- Le blocage du thyristor ne peut être obtenu qu’en relâchant SW2, la lampe s’éteint.
– La résistance R1 limite le courant dans la gâchette. Le courant de gâchette est en moyenne de 10 mA environ.
Pour que le thyristor conduise, il faut 2 conditions.
1- Comme pour la diode Shockley, il faut que la tension anode-cathode soit supérieure à la tension de seuil. (quelques volts).
2- Un courant positif sur la gâchette.
Fonctionnement du thyristor :
– En courant alternatif. Figure 14.
– Le thyristor fonctionne aussi en alternatif. Comme en courant continu, si la gâchette n’est pas polarisée positivement le thyristor ne conduit pas, quelle que soit l’alternance appliquée sur l’anode.
Via l’interrupteur I, on applique une tension positive et seulement à cet instant le thyristor conduit. On remarque la diode D, celle-ci ne laisse passer que les alternances positives dont on a besoin, la résistance R limite le courant dans la gâchette.
– Le blocage du thyristor se fait automatiquement à chaque alternance négative sur l’anode. Le thyristor ne laisse donc passer que des demi-alternances. Sur la charge, on ne dispose que des alternances positives.
graphique
En rouge les alternances présentes sur l’anode du thyristor. En jaune les alternances présentes sur la charge
Animation
Image 1_2- Alternance positive sur l’anode, la gâchette non alimentée (SW1 ouvert), la lampe est éteinte.
Image 3- Alternance négative sur l’anode, la gâchette non alimentée (SW1 ouvert), la lampe est éteinte.
Image 4- Alternance positive sur l’anode, la gâchette est alimentée via SW1, la lampe s’allume.
Image 5- Alternance négative sur l’anode, la gâchette est alimentée via SW1, la lampe s’éteint.
Image 6_7- Répétition de 4-5
– La quantité de courant envoyé sur la charge peut être dosée, c’est-à-dire que les alternances sur la charge ne seront plus entières, ce qui permet de varier la puissance. Pour ce faire, il faut introduire un circuit déphaseur sur la gâchette.
les demi-alternances (jaune) présentes sur la charge sont en phase avec les alternances présentes sur l’anode (rouge). J’entends par déphaseur un circuit qui introduit un retard sur la gâchette par rapport à ces alternances, ainsi une partie seulement de la sinusoïde sera transmise à la charge.
Donc la charge étant une ampoule, si on déphase complètement le signal de gâchette, l’ampoule s’éteint. Si peu que l’on fasse un déphasage progressif avec un potentiomètre par exemple, on peut faire varier la luminosité de l’ampoule progressivement de 0 à 100%. Ici sur le graphique l’ampoule travaille à 75%.
le thyristor se comporte comme une diode. Il en résulte que dans le meilleur des cas l’ampoule ne peut éclairer qu’à 50% de sa puissance. Par exemple 110 Volts au lieu de 220 Volts.
pont de diodes pour redresser les alternances négatives, et un simple circuit R-C au niveau de la gâchette pour introduire le retard.
Voici le schéma de principe et l’oscillogramme.
– Le thyristor GTO :
– Il existe des thyristors dit GTO (Gate Turn Off). Ceux-ci offrent la possibilité de désamorcer le thyristor par l’intermédiaire de la gâchette, en lui envoyant une impulsion négative, (0,1 milliseconde typique). Ceux-ci sont destinés pour des applications de fortes puissances, (millier de Volts et millier d’ampères).
– Le thyristor SE :
– Le thyristor SE est plus sensible que le thyristor courant. Il lui faut moins de courant à la gâchette pour le déclencher.
– Caractéristiques à ne pas dépasser :
– Les valeurs à ne pas dépasser se trouvent dans les notices techniques.
commande monophasée par circuit RC
R2 permet d’obtenir un déclenchement positif
Le thyristor est en série avec Ru la diode D empêche el fonctionnement en polarisation inverse de la gâchette et la décharge de c par r2 tant que V
R1 et C constituent un déphaseur et la tension Vc est en retard par rapport à la tension d’alimentation ( Valim) . Si R1 augmente, Vc est petit et en retard sur Valim d’environ ¼ de période , Vc sera telle Ia=0(Vc<1v)
Si R1 est moyen, le déphasage augmente et vc augmente ce qui entraine le déclenchement.
Si R1 diminue, le déphasage diminue et vc diminue. D’où si R1 est suffisamment faible le thyristor va conduire pendant toute la durée de l’alternance positive.
L’alternance négative étant supprimée, on n’utilise pas toute Valim. D’autre part, les durées de conduction très faibles n’étant pas possibles du fait que vc est trop faible diminuer Ia à 0. La conduction ne couvre donc qu’une plage moyenne. Ce qui fait que ce montage bien que facile à expliqué est très rarement employé en pratique.
Apprendre et comprendre 